ترانزیستور اثر میدان(FET) قسمت دوم : ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده یا IGFET

ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده یا IGFET ( Insulated Gate FET )

 

این ترانزیستور ها دارای گیت عایق شده می باشند. در این ترانزیستور ها گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا می شود و هیچ جریانی از گیت نمی گذرد. لذا مقاومت ورودی آن فوق العاده افزایش می یابد. این ترانزیستور را بیشتر به نام MOSFET می شناسند. MOSFET مخفف Metal Oxide Semiconductor FET می باشد.

 

انواع ترانزیستور های MOSFET

ترانزیستور های MOSFET به دو صورت ساخته می شوند.

۱- ترانزیستور های MOSFET با کانال تهی شونده ( DMOSFET )

۲- ترانزیستور های MOSFET با کانال تشکیل شونده یا بهبود یافته (EMOSFET)

 

ترانزیستور اثر میدان(FET) قسمت اول JFET

ترانزیستور اثر میدان ( FET )

مقدمه

ترانزیستور های معمولی به دلیل ساختار فیزیکی خاصی که دارند ترانزیستور های دو پیوندی یا BJT نامیده می شوند و عناصری هستند که جریان را کنترل می کنند به زبانی دیگر جریان بیس ترانزیستور جریان کلکتور را کنترل می کند. البته در BJT تغییر ولتاژ بیس امیتر نیز می تواند IB را تغییر داده و سرانجام IC کنترل شود. برای برقراری جریان در اتصال کلکتور ، باید جریان بیس به اندازه ای باشد که بتواند به طور کامل بر پتانسیل سد پیوند بیس امیتر غلبه کند و آن را بشکند. وجود جریان ورودی زیاد در ترانزیستور BJT باعث می شود که مقاومت ورودی ترانزیستور های دو پیوندی نسبتا کم باشد به طوری که مقاومت ورودی حتی در آرایش کلکتور مشترک، از چند صد کیلو اهم تجاوز نکند.

بنابراین هنگامی که می خواهیم سیگنال منبعی با فرکانس بالا را تقویت کنیم نمی توانیم ترانزیستور BJT را در طبقه اول تقویت کننده به کار ببریم زیرا مقاومت ورودی کم آن باعث بار گذاری می شود.